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三星电子宣布领先全球量产3纳米芯片

주옥함 记者wodemaya@newspim.com

登录 : 2022-06-30 13:57

纽斯频通讯社首尔6月30日电 韩国三星电子30日宣布领先全球首次量产采用3纳米工艺的芯片。该芯片基于全环绕棚极(Gate-All-Around,GAA)制程工艺,尤其是领先最强竞争对手台积电,争取在代工芯片制造领域抢占过多资源。

图为30日,三星电子芯片研发人员手持晶圆庆祝公司领先全球量产3纳米芯片。【图片=三星电子提供】

3纳米GAA技术采用更宽通的纳米片,与采用窄通道纳米线的GAA技术相比可提供更高的性能和能耗比。至此,三星可调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,满足更多客户的不同需求。

根据三星电子提供的数据,与传统的5纳米芯片相比,第一代3纳米工艺可降低至多45%功耗,提高23%性能,并减少16%的面积。

此前有报道称,三星电子因技术问题,延期量产3纳米芯片。但公司出面表示,研发正按计划进行。

三星与台积电在芯片制造领域一直保持激烈竞争。台积电曾宣布,将在下半年量产3纳米芯片。分析认为,三星电子能否在激烈的竞争中脱颖而出,良率和客户成重中之重。

曾有消息称,三星电子3纳米芯片良率仅在35%左右,让业界对三星是否能实现芯片量产持谨慎态度。但本月22日,三星电子芯片负责人庆桂显在平泽工厂向媒体表示,将于近期公布量产3纳米芯片的消息。

一般而言,良率越高,说明在3纳米芯片量产过程中,每个晶圆生产的芯片越多,利润就越高,芯片价格也就越低。从客户的立场上来看,前者将成为选择芯片厂商的一大因素。业界期待三星电子提高3纳米芯片良率,扩大市场份额。

三星电子代工事业部长崔时荣表示,三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中,比如首个High-k Metal Gate(HKMG)工艺、FinFET以及紫外光(EUV)等。公司希望本次率先在业界量产3纳米芯片保持在该行业的领先地位。

韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社

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