纽斯频通讯社首尔2月6日电 有消息称，韩国三星电子为扩大第6代高带宽存储器（HBM）生产能力，将在平泽园区新建一条DRAM生产线。

三星电子。【图片=纽斯频通讯社】

据业界5日消息，三星电子已制定战略，将在平泽园区第四工厂（P4）内于明年第一季度前建成10纳米第6代（1c）DRAM生产线。该生产线规模可达月产10万至12万片晶圆。

1c DRAM是将被应用于HBM4的最先进DRAM产品。HBM4将搭载共12颗1c DRAM。三星电子计划今年向英伟达、AMD等科技企业供应HBM4，本月内将启动量产供货。

此次投资被认为在DRAM和NAND闪存等存储半导体价格飙升的背景下，旨在快速扩大生产能力以应对需求的战略。

据市场调查机构Counterpoint Research预测，今年第1季度存储芯片价格将较前一季度上涨80%至90%。（完）

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