纽斯频通讯社首尔6月23日电 随着人工智能（AI）产业快速发展，全球存储芯片竞争正从高带宽存储器（HBM）进一步向NAND闪存领域延伸。业内认为，在AI数据中心建设带动企业级固态硬盘（SSD）需求快速增长的背景下，韩国三星电子位于中国西安的NAND闪存生产基地正成为其巩固市场领先地位的重要支撑。

位于首尔市瑞草区的三星电子总部。【图片=纽斯频通讯社DB】

据业界23日消息，三星电子正加快推进西安工厂高堆叠NAND闪存产品升级。市场研究机构Growth Research数据显示，三星电子已完成西安第一工厂236层第八代V-NAND（V8）生产线转换投资，目前正为下半年提升产能做准备。同时，西安第二工厂正在推进286层第九代V-NAND（V9）生产线建设。

西安工厂是三星电子全球NAND闪存业务的重要生产基地。业内估计，该工厂承担着三星电子全球NAND闪存总产量约35%至40%的产能。随着AI服务器和数据中心对高容量存储产品需求持续增加，西安工厂的技术升级进度被视为影响三星电子市场竞争力的重要因素。

市场研究机构Counterpoint Research数据显示，今年第一季度，受供需关系变化和产品价格上涨推动，全球NAND闪存市场销售额同比增长约3.5倍，环比增长约90%。

同期，三星电子以29%的市场份额继续位居全球第一。SK海力士（含子公司Solidigm）市场份额为18%，排名第二；铠侠以14%的份额位居第三；美国美光科技市场份额为13%。三星电子与SK海力士之间的市场份额差距由去年第四季度的5个百分点扩大至今年第一季度的11个百分点。

分析认为，尽管SK海力士凭借HBM产品在AI芯片供应链中占据优势，但在NAND闪存市场，三星电子仍保持领先地位。随着AI训练和推理产生的数据量持续增长，高容量企业级SSD需求同步快速扩大，存储器产业竞争已从单一HBM领域逐渐扩展至DRAM、NAND闪存和SSD等多个领域。

市场研究机构TrendForce预计，到今年年底，200层以上NAND闪存产品将成为市场主流。同时，随着生产资源持续向服务器产品倾斜，高容量QLC企业级SSD的市场渗透率有望进一步提高。

业内人士指出，三星电子正通过西安工厂推进高层数产品升级和高附加值产品布局，以增强面向AI数据中心市场的供应能力，从而在AI产业快速发展过程中进一步扩大市场优势。

不过，市场竞争也日趋激烈。数据显示，中国存储芯片企业长江存储今年第一季度全球NAND闪存市场份额已升至13%，较一年前约8%的水平明显提升。同时，铠侠正在扩大产能并推进下一代产品研发，SK海力士也依托Solidigm持续强化企业级SSD业务布局。

此外，美国对华半导体出口限制政策仍被视为影响行业发展的重要变量。由于西安工厂位于中国，其先进设备引进及工艺升级可能受到地缘政治因素影响。但业内普遍认为，三星电子将继续利用现有生产基础推进产品升级，并通过优化产品结构提升高附加值产品比重。

分析认为，随着全球AI基础设施投资持续增长，数据存储需求将保持快速扩张。未来三星电子能否继续保持全球NAND闪存市场领先地位，以及西安工厂在先进工艺升级和企业级SSD市场布局方面的进展，将成为行业关注的重要焦点。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社